Ko te tono mo te Mosfet, IGBT me te triode vacuum i roto i te miihini whakawera whakaurunga ahumahi (umu)

Hou Te Mana Whakawera Induction Ko te nuinga o te hangarau tuku e whakawhirinaki ana ki nga momo taputapu hiko matua e toru: MOSFET, IGBT me te triode korehau, he waahi kore e taea te whakakapi i ia waahanga i roto i nga ahuatanga tono motuhake. Ko te MOSFET te mea tuatahi i roto i te waahi whakamahana whakamahana na te mea he pai rawa atu nga ahuatanga o te auau teitei (100kHz-1MHz), a he tino pai mo nga ahuatanga iti-kaha me te tino tika penei i te whakarewa whakapaipai me te whakahiato i nga waahanga hiko. I roto i a raatau, ko te SiC / GaN MOSFET kua piki ake te kaha ki te neke atu i te 90%, engari ko tana rohe mana (te nuinga

I roto i te waahi o te reo-auau me te kaha-nui (1kHz-100kHz), kua whakaatuhia e te IGBT he painga whakataetae kaha. Ka rite ki te taputapu matua o oumu whakarewa ahumahi me te whakarewa Maimoatanga Wera nga raina whakaputa, ka taea e nga waahanga IGBT te whakatutuki ngawari i te putanga mana taumata-MW. Ko tana hangarau pakeke me te tino pai o te utu ka waiho hei whiriwhiringa paerewa mo nga rauemi tukatuka penei i te rino me te konumohe konumohe. Na te whakaurunga o te hangarau SiC, ko te auau whakahaere o te reanga hou o IGBT kua neke ake i te 50kHz, me te whakakotahi ano i te mana o te maakete i roto i te roopu reo-auau.

I roto i nga ahuatanga ultra-high-frequency me te kaha-nui (1MHz-30MHz), ka mau tonu nga triodes korehau i te tuunga korekore. Ahakoa he whakarewa whakarewa motuhake, he hanga plasma, he taputapu tuku haapurororaa ranei, ka taea e nga triodes korehau te whakaputa i te mana o te taumata MW. Ko te kaha o te kaha o te ngaohiko teitei me te hoahoanga puku ngawari ka waiho hei whiringa pai mo te tukatuka i nga konganuku hohe penei i te titanium me te zirconium, ahakoa te iti o te pai (50% -70%) me nga utu tiaki nui.

Ko te whakawhanaketanga hangarau o naianei e whakaatu ana i te ahua marama o te whakakotahitanga: kei te haere tonu te MOSFET ki roto i nga waahi teitei me te kaha kaha ma te hangarau SiC / GaN; Kei te haere tonu te IGBT ki te whakawhänui i te roopu auau mahi na roto i nga mahi auaha; i te wa e anga ana nga ngongo korehau ki te pehanga whakataetae mai i nga taputapu whenua-too i te wa e mau tonu ana o raatau painga o te waa teitei. Ko tenei whanaketanga hangarau kei te whakahou i te whenua ahumahi o nga taputapu hiko whakawera.

I roto i te kowhiringa pono, me whai whakaaro nui nga miihini ki nga waahanga nui e toru o te auau, te mana me te ohanga: Ko te MOSFET he pai ake mo te tere-nui me te iti-kaha, ka tohua te IGBT mo te reo-auau me te kaha-nui, me nga triodes korehau kei te hiahiatia tonu mo te tere-nui me te kaha teitei. Na te ahunga whakamua o te hangarau semiconductor whanui-bandgap, ka rereke pea tenei paerewa kowhiringa, engari i nga wa kei te heke mai, ka whai waahi nui nga momo taputapu e toru ki o raatau waahi painga, me te whakatairanga tahi i te whanaketanga o te hangarau whakawera induction ki te huarahi pai ake me te tino tika.